本文摘要：MOSFET因导通内阻较低、电源速度快等优点被普遍应用于开关电源中。
MOSFET因导通内阻较低、电源速度快等优点被普遍应用于开关电源中。MOSFET的驱动经常根据电源IC和MOSFET的参数自由选择适合的电路。下面一起探究MOSFET用作开关电源的驱动电路。
　　在用于MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑到MOSFET的导通电阻、仅次于电压、仅次于电流。但很多时候也意味着考虑到了这些因素，这样的电路或许可以长时间工作，但并不是一个好的设计方案。更加精细的，MOSFET还不应考虑到本身宿主的参数。
对一个确认的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输入的峰值电流，下降速率等，都会影响MOSFET的电源性能。　　当电源IC与MOS管指定之后，自由选择适合的驱动电路来相连电源IC与MOS管就变得特别是在最重要了。　　一个好的MOSFET驱动电路有以下几点拒绝：　　(1)电源管通车瞬时，驱动电路不应能获取充足大的充电电流使MOSFET栅源极间电压很快下降到所需值，确保电源管能较慢通车且不不存在下降沿的高频波动。
　　(2)电源导通期间驱动电路能确保MOSFET栅源极间电压保持稳定且可信导通。　　(3)变频器瞬间驱动电路能获取一个尽量较低电阻的通路供MOSFET栅源极间电容电压的较慢泄放，确保电源管能较慢变频器。　　(4)驱动电路结构非常简单可信、损耗小。
　　(5)根据情况产生隔绝。　　下面讲解几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。　　1、电源IC必要驱动MOSFET图1IC必要驱动MOSFET　　电源IC必要驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，用于这种驱动方式，应当留意几个参数以及这些参数的影响。第一，查阅一下电源IC手册，其仅次于驱动峰值电流，因为有所不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
第二，理解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值较为大，MOS管导通的必须的能量就较为大，如果电源IC没较为大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力严重不足，下降沿有可能经常出现高频波动，即使把图1中Rg增大，也无法解决问题!IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管电源速度等因素，都影响驱动电阻阻值的自由选择，所以Rg并无法无限增大。　　2、电源IC驱动能力严重不足时　　如果自由选择MOS管寄生电容较为大，电源IC内部的驱动能力又严重不足时，必须在驱动电路上强化驱动能力，经常用于图腾柱电路减少电源IC驱动能力，其电路如图2虚线框右图。
图2图腾柱驱动MOS　　这种驱动电路起到在于，提高电流获取能力，很快已完成对于栅极输出电容电荷的电池过程。这种流形减少了导通所必须的时间，但是增加了变频器时间，电源管能较慢通车且防止下降沿的高频波动。

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